Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.44€ | 0.53€ |
5 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
10 - 24 | 0.40€ | 0.48€ |
25 - 49 | 0.33€ | 0.40€ |
50 - 99 | 0.31€ | 0.38€ |
100 - 149 | 0.29€ | 0.35€ |
150 - 431 | 0.27€ | 0.33€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.44€ | 0.53€ |
5 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
10 - 24 | 0.40€ | 0.48€ |
25 - 49 | 0.33€ | 0.40€ |
50 - 99 | 0.31€ | 0.38€ |
100 - 149 | 0.29€ | 0.35€ |
150 - 431 | 0.27€ | 0.33€ |
BAS16. Corriente directa (AV): 215mA. IFSM: 1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 0.5uA. Resonancia magnética (mín.): 30nA. Marcado en la caja: A6W. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 715mV. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.
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