BAS16GEG, SOT23. Vivienda: SOT23. Corriente de conducción: 100mA. Corriente de pulso Máx.: 4A. Estructura semiconductora: diodo. Montaje/instalación: SMD. Propiedades del semiconductor: Conmutación de alta velocidad. RoHS: no. Tensión umbral: 1V, 1.25V. Tiempo de reacción: 4ns, 6ns. Tipo de diodo: diodo de conmutación. Tipo de semiconductor: diodo. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.25V. Voltaje inverso máximo: 100V, 75V. Producto original del fabricante: Nxp. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 16:56