Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

BAS85

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25 - 49 0.55€ 0.67€
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BAS85. Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodos de barrera Schottky de conmutación rápida de vidrio. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky para señales pequeñas, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD80. Vivienda (norma JEDEC): Sb. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V. VRRM: 30 v. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA
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