Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BAV18-TAP

BAV18-TAP
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1 - 4 0.47€ 0.57€
5 - 9 0.44€ 0.53€
10 - 24 0.42€ 0.51€
25 - 49 0.41€ 0.50€
50 - 99 0.40€ 0.48€
100 - 149 0.37€ 0.45€
150 - 1000000 0.35€ 0.42€
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100 - 149 0.37€ 0.45€
150 - 1000000 0.35€ 0.42€
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Conjunto de 10

BAV18-TAP. Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 16:25.

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Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
BAV21
Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
Conjunto de 10
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Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
BAV20
Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
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