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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303. Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -60V. C(pulg): -0.5A. Costo): 0.85W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: CTV-NF/VA. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: A1013. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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