Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303
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1 - 4 0.82€ 0.99€
5 - 9 0.78€ 0.94€
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25 - 49 0.74€ 0.90€
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303. Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC639. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
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2SA1013

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: CTV-NF/VA. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: A1013. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2383. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 160V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N5401. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: 2N5401. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V
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