Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD442F

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD442F
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD442F. Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: caja aislada. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.

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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD442. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complementario (par) BD441
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