Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ44N

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ44N
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1 - 4 1.14€ 1.38€
5 - 9 1.09€ 1.32€
10 - 24 1.05€ 1.27€
25 - 49 1.03€ 1.25€
50 - 99 1.01€ 1.22€
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Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ44N. Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0175 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 07/06/2025, 22:25.

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