Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680
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1 - 9 0.47€ 0.57€
10 - 24 0.45€ 0.54€
25 - 49 0.44€ 0.53€
50 - 99 0.42€ 0.51€
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 09/06/2025, 04:25.

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BD682

BD682

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivien...
BD682
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD681. Tipo de transistor: PNP
BD682
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD681. Tipo de transistor: PNP
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BD680-DIV

BD680-DIV

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-1...
BD680-DIV
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BD680-DIV
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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