Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680
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1 - 9 0.47€ 0.57€
10 - 24 0.45€ 0.54€
25 - 49 0.43€ 0.52€
50 - 99 0.39€ 0.47€
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680. Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 08:25.

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Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo ...
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Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -4A. Frecuencia de corte pies [MHz]: NF-L. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporado: sí. Potencia: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BD681
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Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -4A. Frecuencia de corte pies [MHz]: NF-L. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporado: sí. Potencia: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BD681
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (segÃ...
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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