Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680-DIV

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680-DIV
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680-DIV. Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
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Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Nota: >750. Cantidad por caja: 1
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Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Nota: >750. Cantidad por caja: 1
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