Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A. Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD679A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 08:25.

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Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -4A. Frecuencia de corte pies [MHz]: NF-L. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporado: sí. Potencia: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BD681
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
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