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Transistor NPN, 0.1A, 160V - BF457

Transistor NPN, 0.1A, 160V - BF457
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Transistor NPN, 0.1A, 160V - BF457. Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Producto original del fabricante Mev. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 01:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Función: VID-L. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 300mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Función: VID-L. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 300mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V
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