Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107

Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107
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1 - 4 0.96€ 1.16€
5 - 9 0.91€ 1.10€
10 - 24 0.86€ 1.04€
25 - 49 0.81€ 0.98€
50 - 99 0.79€ 0.96€
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Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107. Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. Resistencia en encendido Rds activado: 15 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 85pF. Costo): 20pF. Tipo de canal: N. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 2A. Marcado en la caja: BS107. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.

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Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-92, 200V, 250mA, TO-92, 200V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BS107A. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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