Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC
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25 - 49 4.07€ 4.92€
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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC. Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistencia BE: 260 Ohms. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Ic (pulso): 10A. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Función: hFE 60...230, carcasa de plástico aislada. Spec info: tiempo de caída 0.8us. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 03:25.

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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistencia BE: 42 Ohms. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 230. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)
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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistencia BE: 42 Ohms. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 230. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)
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