BUZ80AF V-MOSFET de Canal N 800V 2.1A 3 Ohm Resistencia de Conducción

Descripción técnica del producto (BUZ80AF):

Tensión Vds(max): 800V. Idss (max): 2.1A. ID (T=25°C): 2.1A. ID (T=100°C): 1.5A. Resistencia de conducción Rds On: 3 Ohmios. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor N MOSFET. Tecnología: V-MOS (F). Nota: <100/220ns. Cantidad por caja: 1. Pd (Disipación de Potencia, Máx): 40W.