Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BYP35A6

BYP35A6
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1 - 4 1.76€ 2.13€
5 - 9 1.68€ 2.03€
10 - 24 1.59€ 1.92€
25 - 49 1.50€ 1.82€
50 - 83 1.38€ 1.67€
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1 - 4 1.76€ 2.13€
5 - 9 1.68€ 2.03€
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BYP35A6. Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sí. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+215°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.

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Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sí. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms
BYP60A6
Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sí. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms
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150EBU04

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150EBU04
Corriente directa (AV): 150A. IFSM: 1500A. Vivienda (según ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.07V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Función: Diodo de recuperación suave ultrarrápido
150EBU04
Corriente directa (AV): 150A. IFSM: 1500A. Vivienda (según ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.07V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Función: Diodo de recuperación suave ultrarrápido
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2.60€ IVA incl.
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