Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BYV32E-200

BYV32E-200
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 1.18€ 1.43€
5 - 9 1.12€ 1.36€
10 - 24 1.08€ 1.31€
25 - 49 1.06€ 1.28€
50 - 99 1.04€ 1.26€
100 - 249 1.16€ 1.40€
250 - 2014 1.31€ 1.59€
Cantidad U.P
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Cantidad en inventario : 2014
Conjunto de 1

BYV32E-200. Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 125A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST. Nota: cátodo común. Marcado en la caja: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V. Producto original del fabricante Ween Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 13:25.

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MUR1620CT

MUR1620CT

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC...
MUR1620CT
Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.975V. Tensión directa Vf (mín.): 0.895V
MUR1620CT
Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.975V. Tensión directa Vf (mín.): 0.895V
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2.46€ IVA incl.
(2.03€ sin IVA)
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MUR1660CT

MUR1660CT

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC...
MUR1660CT
Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V
MUR1660CT
Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V
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Cantidad en inventario : 2014
BYV32E-200

BYV32E-200

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 125A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT78 (...
BYV32E-200
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 125A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST. Nota: cátodo común. Marcado en la caja: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V
BYV32E-200
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 125A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST. Nota: cátodo común. Marcado en la caja: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V
Conjunto de 1
1.43€ IVA incl.
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