Diodos supresores de transitorios

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. IFSM: 400A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 30 v. Pd (disipación de potencia, máx.): 5000W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: P-600. Vivienda (según ficha técnica): P600 ( 8x7.5mm ). Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V

Material semiconductor: silicio. Corriente directa (AV): 10000A. Capacitancia: 1.5pF. RoHS: sí. Nota: max. Nota: voltaje de encendido 600V. Nota: min. Unidad de acondicionamiento: 350

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: BZG03C12G, BZG03C12TR. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Voltaje zener: 12V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: BZG03C150G, BZG03C150TR. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Voltaje zener: 150V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: BZG03C200G, BZG03C200TR. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Voltaje zener: 200V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: BZG03C15G, BZG03C15TR. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Voltaje zener: 15V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 10V. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Voltaje zener: 10V

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 12V. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolerancia: 5%. Voltaje zener: 12V

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Tensión de ruptura: 13V. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD57 (4.57x3.81mm). Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Voltaje zener: 13V

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: Zener-Diodes with Surge Current Specification. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 130V. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Voltaje zener: 130V

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 15V. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolerancia: 6 %. Voltaje zener: 15V

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Tensión de ruptura: 150V. Dimensiones: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Tolerancia: 5%. Voltaje zener: 150V

Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. VRRM: 180V

Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: SOD57 Glass. Nota: 6%, Vz.min 188 - Vz.max 212V. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. VRRM: 200V

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Tensión de ruptura: 22V. Dimensiones: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass )

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Dimensiones: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD57 Glass. Voltaje zener: 24V. Varios: diodo transil

Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: SOD57 Glass. Nota: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. VRRM: 36V

Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. VRRM: 39V

Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. VRRM: 43V

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Tensión de ruptura: 47V. Dimensiones: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD57 Glass. Voltaje zener: 47V

Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. VRRM: 7.5V

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Dimensiones: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD57 Glass. Voltaje zener: 8.2V

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie BZW 06 (600W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 10.2V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Supresor bidireccional serie BZW 06 (600W @ 1mseg.). Vivienda: DO-15. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 10.2V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: soldadura de PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: bidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Familia de componentes: diodo de supresión transitoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 11.1V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: bidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 12.4V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 13V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 13.7V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 11.1V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C