Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Tensión de ruptura: 400V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 (9x5.3mm). Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V