Ubr [V] a Ibr [A]: 47V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 49.4V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 40.2V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. IFSM: 200A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 47V