Diodos supresores de transitorios

RoHS: sí. Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Tensión de ruptura: 200V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor bidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 171V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: bidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 190V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 200V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 210V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 17.1V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 19V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 21V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Supresor bidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 17.1V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: bidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 19V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 21V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Tensión de ruptura: 220V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Spec info: supresor transitorio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 18.8V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 20.9V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 22V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18.8V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. VRRM: 22V

Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 24V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V

Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 24V

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 214V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 237V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 250V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 263V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 214V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor bidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 214V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: bidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 237V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 250V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 263V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 214V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 27V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V

RoHS: sí. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 27V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 27V

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 256V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 285V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 300V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 315V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 256V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor bidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 256V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 285V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 300V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 263V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 256V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

RoHS: sí. Familia de componentes: diodo de supresión transitoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 25.6V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 28.5V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 30V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 31.5V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 25.6V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. VRRM: 30 v

RoHS: sí. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 30 v. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 30 v

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 28.2V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 31.4V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 33V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Estructura: bidireccional. Vivienda: DO201. Tipo de montaje: THT. Disipación de potencia máxima: 1500W. Voltaje de separación inversa: 28.2V. Voltaje de ruptura (mín.): 31.4V. Corriente de pulso máxima (10/1000us): 33A. Serie: 1.5KE

RoHS: sí. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie KE 1.5 (1500W @ 1mseg.). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: CB 429. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 30.8V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 34.2V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 36V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 37.8V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30.8V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. VRRM: 36V

RoHS: sí. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 36V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. VRRM: 36V

Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Nota: supresor transitorio. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 39V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C

RoHS: sí. Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Tensión de ruptura: 39V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD (9.63x5.33mm). Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V

Estructura dieléctrica: bidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 39V

RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 400V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 400V