Diodos Zener

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 68V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. VRRM: 68V

Voltaje zener: 6.2V. Vivienda: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 0.5W

Voltaje zener: 6.8V. Vivienda: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 0.5W

Voltaje zener: 7.5V. Vivienda: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 0.5W

Voltaje zener: 8.2V. Vivienda: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 0.5W

Voltaje zener: 9.1V. Vivienda: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 0.5W

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Vivienda (norma JEDEC): 2. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 0,5W (25°C), 5%. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.2uA @ 7V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Voltaje zener: 11V. Vivienda: DO-35. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 0.5W. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 12V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5242B, BZX79C12, ZPD12. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 12V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 13V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5243B, BZX79C13, ZPD13. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Voltaje zener: 15V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5245B, BZX79C15, ZPD15. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 16V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 18V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Corriente directa (AV): 250mA. Equivalentes: 1N5248B, BZX55C15, ZPD18. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V

Voltaje zener: 20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: 1N968BRL, 1N5250B, BZX79C20, ZPD20. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 22V. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5251B, BZX79C22, ZPD22. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 24V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: 1N5252B, BZX55C24, ZPD24. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 27V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo Zener de silicio de vidrio . Resonancia magnética (máx.): 0.1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 2.4V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: 1N5221B, BZX79C2V4, ZPD2.4. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 2.7V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 30 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Voltaje zener: 33V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 36V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Voltaje zener: 39V. Vivienda: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 0.5W

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 3.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%