Diodos Zener

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 6.8V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 7.5V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 8.2V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 9.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo zener, montaje SMD, máx, 250 mW. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Voltaje zener: 62V. Material semiconductor: silicio. Dimensiones: 2.9x1.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Número de terminales: 3

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Voltaje zener: 10V. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: Z9. RoHS: sí. Paso: 2.9x1.5mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: SI-Z SMD

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje zener: 11V. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Paso: 2.9x1.5mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 11V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo zener, montaje SMD, máx, 250 mW. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 12V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Voltaje zener: 12V. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo zener, montaje SMD, máx, 250 mW. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. VRRM: 12V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje zener: 15V. Acondicionamiento: rollo. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: Y4*. Equivalentes: BZX84-C15.215. Dimensiones: 2.9x1.5mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 3000

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Voltaje zener: 18V. Acondicionamiento: rollo. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SI-Z SMD. Marcado en la caja: Y6. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. VRRM: 18V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 3000

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. RoHS: sí. Familia de componentes: Componente montado en superficie (SMD) de diodo zener de 350 mW (0,35 W). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 24V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo zener, montaje SMD, máx, 250 mW. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Voltaje zener: 27V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Número de terminales: 2. Nota: SI-Z SMD. Cantidad por caja: 1. Temperatura de funcionamiento: +65°C...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Voltaje zener: 27V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD ZENER 27V. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Voltaje zener: 2.7V. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). VRRM: 2.7V. Número de terminales: 3

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Voltaje zener: 3.3V. Material semiconductor: silicio. Dimensiones: 2.9x1.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo zener, montaje SMD, máx, 250 mW. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 1V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje zener: 3.6V. Material semiconductor: silicio. Dimensiones: 2.9x1.3x1mm. RoHS: sí. Paso: 1.9mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Número de terminales: 3

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.9V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo zener, montaje SMD, máx, 250 mW. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Voltaje zener: 4.7V. Material semiconductor: silicio. Dimensiones: 2.9x1.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Número de terminales: 3

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo zener, montaje SMD, máx, 250 mW. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 2V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Material semiconductor: silicio. Paso: 2.9x1.5mm. VRRM: 5V. Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Voltaje zener: 5.6V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SI-Z SMD. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. VRRM: 5.6V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1