Diodos Zener

Voltaje zener: 15V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5245B, BZX79C15, ZPD15. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 16V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 18V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Corriente directa (AV): 250mA. Equivalentes: 1N5248B, BZX55C15, ZPD18. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V

Voltaje zener: 20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: 1N968BRL, 1N5250B, BZX79C20, ZPD20. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 22V. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5251B, BZX79C22, ZPD22. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 24V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: 1N5252B, BZX55C24, ZPD24. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 27V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo Zener de silicio de vidrio . Resonancia magnética (máx.): 0.1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 2.4V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Equivalentes: 1N5221B, BZX79C2V4, ZPD2.4. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 2.7V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 30 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Voltaje zener: 33V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 36V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 3.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 3.6V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5227B, BZX79C3V6, ZPD3.6. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 3.9V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5228B, BZX79C3V9, ZPD3.9. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Voltaje zener: 43V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 47V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 4.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5229B, BZX79C4V3, ZPD4.3. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Voltaje zener: 4.7V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 51V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 5.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 5.6V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 62V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 6.2V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V