Diodos Zener

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 5.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Voltaje zener: 5.6V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Voltaje zener: 62V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 68V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 3x6.2mm. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 6.2V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Voltaje zener: 6.8V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 75V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 7.5V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Voltaje zener: 82V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: BZX85C82, ZPY82. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x5.1mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 8.2V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: NXP. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 9.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 27V. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. RoHS: sí. Familia de componentes: diodo Zener. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 18.9V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 2mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AH. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 11V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8.2V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 0,5W (25°C), 5%

Tipo de diodo: diodo Zener. Voltaje zener: 13V. Potencia: 0.5W. Vivienda: DO-35

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 16V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. VRRM: 16V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 27V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. VRRM: 27V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 39V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. VRRM: 39V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 39V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. VRRM: 39V

Tipo de diodo: diodo Zener. Voltaje zener: 4.7V. Potencia: 0.5W. Vivienda: DO-35

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 68V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. VRRM: 68V

Tipo de diodo: diodo Zener. Voltaje zener: 8.2V. Potencia: 0.5W. Vivienda: DO-35

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Vivienda (norma JEDEC): 2. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.2uA @ 7V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 0,5W (25°C), 5%

Voltaje zener: 11V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5241B, BZX55C11, ZPD11

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 12V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5242B, BZX79C12, ZPD12. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 12V

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Voltaje zener: 13V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Equivalentes: 1N5243B, BZX79C13, ZPD13. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%