Fairchild FQA19N60 MOSFET de Canal N 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Descripción técnica del producto (FQA19N60):

Tensión Vds(max): 600V. Idss (máx.): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Resistencia de paso Rds On: 0.3 Ohm. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3PN. Encapsulado: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de conexiones: 3. Montaje/instalación: montaje pasante para circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, baja carga de puerta (típicamente 44nC). Tecnología: DMOS, QFET. Protección G-S: no. Td(off): 150 ns. Idss (mín.): 10uA. Td(on): 65 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) mín.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diodo (Mín.): 420 ns. Disipación de potencia máxima: 300W. Protección drenaje-fuente: diodo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 5V.