Fairchild HGTG30N60B3D Transistor N-IGBT 600V 30A TO-247

Descripción técnica del producto (HGTG30N60B3D):

Diodo de germanio: no. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Encapsulado: TO-247. Diodo CE: no. Número de conexiones: 3. Montaje/instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N-P. Encapsulado (según hoja de datos): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Función: Ic 30A a 25°C, 25A a 110°C, Icm 220A (pulsado). Td(off): 137 ns. Tensión colector-emisor Vceo: 600V. Td(on): 36 ns. Tensión de saturación colector-emisor VCE(sat): 1.45V. Tensión puerta-emisor VGE: 20V. Disipación de potencia máxima: 208W. Tensión umbral puerta-emisor VGE(th) mín.: 4.2V. Tensión umbral puerta-emisor VGE(th) máx.: 6V.