Fairchild HGTG40N60B3 Transistor N-IGBT 600V 40A TO-247

Descripción técnica del producto (HGTG40N60B3):

Diodo de germanio: no. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Encapsulado: TO-247. Diodo CE: no. Número de conexiones: 3. Montaje/instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N-P. Encapsulado (según hoja de datos): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Función: Ic 70A a 25°C, 40A a 110°C, Icm 330A (pulsado). Td(off): 170 ns. Tensión colector-emisor Vceo: 600V. Td(on): 47 ns. Tensión de saturación colector-emisor VCE(sat): 1.4V. Tensión puerta-emisor VGE: 20V. Disipación de potencia máxima: 290W. Tensión umbral puerta-emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión umbral puerta-emisor VGE(th) máx.: 6V.