Fairchild IRF610B Transistor MOSFET de Potencia de Canal N, 200V Vds, 3.3A Id, 1.16 Ohm Rds(on), Enc

Descripción técnica del producto (IRF610B):

Tensión Vds(max): 200V. Idss (max): 3.3A. ID (T=25°C): 3.3A. ID (T=100°C): 2.1A. Resistencia de encendido Rds On: 1.16 Ohmios. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220. Encapsulado: TO-220. Montaje/instalación: Montaje pasante en PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: VGS @10V. Cantidad por caja: 1. Pd (Disipación de potencia, Máx): 38W