Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - FQP9N90C

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - FQP9N90C
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1 - 1 5.57€ 6.74€
2 - 2 5.29€ 6.40€
3 - 4 5.01€ 6.06€
5 - 9 4.74€ 5.74€
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20 - 29 4.51€ 5.46€
30 - 76 4.35€ 5.26€
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Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - FQP9N90C. Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. Pd (disipación de potencia, máx.): 205W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: DMOS, QFET. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 45 nC, Crss bajo 14 pF. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 05:25.

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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí
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