Fuji Electric 2SK1217 MOSFET de Canal N 900V 8A 1.5 Ohm TO-3PF

Descripción técnica del producto (2SK1217):

Tensión Vds(max): 900V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 8A. Resistencia de encendido Rds(on): 1.5 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3PF. Encapsulado: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje pasante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Baja potencia de accionamiento, conmutación de alta velocidad. Tecnología: V-MOS. Protección G-S: no. Td(off): 300 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 50 ns. Cantidad por caja: 1. Id(imp): 23A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 1400pF. C(out): 200pF. Trr Diodo (Min.): 1000 ns. Pd (Disipación de potencia, máx): 100W. Protección drenaje-fuente: diodo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.