Fuji Electric 2SK2850 Transistor N-MOSFET, 900V 6A, 1.87 Ohm Rds(on), Encapsulado TO-3P, Conmutación

Descripción técnica del producto (2SK2850):

Tensión Vds(max): 900V. Idss (max): 200uA. ID (T=25°C): 6A. Resistencia en estado activo Rds On: 1.87 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3P. Encapsulado: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Montaje/instalación: Montaje pasante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Tecnología: TT-MOSV. Protección G-S: no. Td(off): 110 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 20 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 950pF. C(out): 140pF. Trr Diodo (Min.): 900ns. Pd (Disipación de potencia, Max): 125W. Protección drenador-fuente: sí. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3.5V