Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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HER103

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HER103. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: HER103G. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 19:25.

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HER108
Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Equivalentes: HER108G. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Número de terminales: 2
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Equivalentes: HER105G. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2
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