Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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UF4003

UF4003
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1 - 1 1.03€ 1.25€
2 - 2 0.98€ 1.19€
3 - 4 0.93€ 1.13€
5 - 9 0.88€ 1.06€
10 - 24 0.82€ 0.99€
25 - 47 0.77€ 0.93€
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Conjunto de 10

UF4003. Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.

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UF4006
Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S
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Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminales: 2. Nota: GI-S. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tensión directa Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminales: 2. Nota: GI-S. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tensión directa Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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BYV26C
Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rápida recuperación suave . RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Acondicionamiento: rollo. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Acondicionamiento: rollo. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S
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