Infineon SPP11N60C3 MOSFET de Potencia CoolMOS de Canal N, 650V, 11A, TO-220

Descripción técnica del producto (SPP11N60C3):

Tensión Drain-Source Vds(max): 650V. Corriente de fuga Drain-Source Idss (max): 100uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 11A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 7A. Resistencia en estado ON Rds On: 0.34 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220. Encapsulado: TO-220. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: Montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad dv/dt extrema, alta capacidad de corriente de pico. Tecnología: Cool Mos POWER Transistor. Protección Gate-Source: no. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 44 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss (min): 0.1uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 10 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 33A. Marcado en el encapsulado: 11N60C3. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacitancia de entrada C (in): 1200pF. Capacitancia de salida C (out): 390pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 400 ns. Disipación de potencia máxima: 125W. Protección Drain-Source: diodo Zener. Tensión Gate-Source Vgs: 20V. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) max.: 3.9V