Infineon SPU04N60C3 MOSFET de Potencia CoolMOS de Canal N, 650V, 4.5A, TO-251 (I-Pak)

Descripción técnica del producto (SPU04N60C3):

Tensión Drain-Source Vds(max): 650V. Corriente de fuga Drain-Source Idss (max): 50uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 4.5A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 2.8A. Resistencia en estado ON Rds On: 0.85 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-251 (I-Pak). Encapsulado: TO-251 (I-Pak). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: Montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja, capacidad dv/dt extrema. Tecnología: Cool Mos. Protección Gate-Source: no. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 58.5 ns. Corriente de fuga Drain-Source Idss (min): 0.5uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 6 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 13.5A. Marcado en el encapsulado: 04N60C3. Tensión umbral Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacitancia de entrada C (in): 490pF. Capacitancia de salida C (out): 160pF. Tiempo de recuperación inversa del diodo Trr (Min.): 300 ns. Disipación de potencia máxima: 50W. Protección Drain-Source: Diodo Zener. Tensión Gate-Source Vgs: 20V