International Rectifier IRFB23N15D MOSFET de Potencia HEXFET de Canal N 150V 23A 0.09 Ohm TO-220

Descripción técnica del producto (IRFB23N15D):

Tensión Vds(max): 150V. Idss (máx.): 250uA. Id (T=25°C): 23A. Id (T=100°C): 17A. Resistencia de paso Rds On: 0.09 Ohm. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220AB. Encapsulado: TO-220. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Número de conexiones: 3. Montaje/instalación: montaje pasante para circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Protección G-S: no. Td(off): 18 ns. Idss (mín.): 25uA. Td(on): 10 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 92A. Marcado en el encapsulado: B23N15D. Vgs(th) mín.: 3V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Trr Diodo (Mín.): 150 ns. Disipación de potencia máxima: 136W. Embalaje: tubo de plástico. Protección drenaje-fuente: diodo Zener. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Unidad de embalaje: 50.