Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.73€ | 0.88€ |
5 - 9 | 0.70€ | 0.85€ |
10 - 24 | 0.66€ | 0.80€ |
25 - 49 | 0.62€ | 0.75€ |
50 - 99 | 0.61€ | 0.74€ |
100 - 249 | 0.63€ | 0.76€ |
250 - 1230 | 0.80€ | 0.97€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.73€ | 0.88€ |
5 - 9 | 0.70€ | 0.85€ |
10 - 24 | 0.66€ | 0.80€ |
25 - 49 | 0.62€ | 0.75€ |
50 - 99 | 0.61€ | 0.74€ |
100 - 249 | 0.63€ | 0.76€ |
250 - 1230 | 0.80€ | 0.97€ |
Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1 - IRF9510PBF. Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9510PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 43W. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.
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