Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.19€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 158 | 0.78€ | 0.94€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.19€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 158 | 0.78€ | 0.94€ |
Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR024N. Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 370pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 4.9 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 22:25.
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.