Transistor de canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.44€ | 4.16€ |
| 5 - 9 | 3.26€ | 3.94€ |
| 10 - 24 | 3.09€ | 3.74€ |
| 25 - 49 | 2.92€ | 3.53€ |
| 50 - 99 | 2.85€ | 3.45€ |
| 100 - 249 | 2.78€ | 3.36€ |
| 250+ | 2.68€ | 3.24€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.44€ | 4.16€ |
| 5 - 9 | 3.26€ | 3.94€ |
| 10 - 24 | 3.09€ | 3.74€ |
| 25 - 49 | 2.92€ | 3.53€ |
| 50 - 99 | 2.85€ | 3.45€ |
| 100 - 249 | 2.78€ | 3.36€ |
| 250+ | 2.68€ | 3.24€ |
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Transistor de canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L. Transistor de canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 15A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.05 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 37W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 7 ns. Número de terminales: 3. Tecnología: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Cantidad por caja: 1. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.
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Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 370pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 4.9 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS
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