Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88€ | 1.06€ |
5 - 9 | 0.84€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.79€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.75€ | 0.91€ |
50 - 99 | 0.73€ | 0.88€ |
100 - 169 | 0.67€ | 0.81€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88€ | 1.06€ |
5 - 9 | 0.84€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.79€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.75€ | 0.91€ |
50 - 99 | 0.73€ | 0.88€ |
100 - 169 | 0.67€ | 0.81€ |
Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - IRFR9024. Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 570pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.
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