Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - STD10P6F6

Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - STD10P6F6
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1 - 4 1.05€ 1.27€
5 - 9 1.00€ 1.21€
10 - 24 0.95€ 1.15€
25 - 49 0.90€ 1.09€
50 - 99 0.88€ 1.06€
100 - 249 0.86€ 1.04€
250 - 536 0.82€ 0.99€
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Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - STD10P6F6. Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 340pF. Costo): 40pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 40A. DI (T=100°C): 7.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 10P6F6. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 64 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: MOSFET de potencia STRipFET™ II de carga de puerta baja. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.

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Transistor de canal P, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI ...
NTD2955T4
Transistor de canal P, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 500pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 50us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: NT2955. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.155 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Función: ID pulse 36A/10ms. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS
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FDD5614P
Transistor de canal P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. C(pulg): 759pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Identificación (diablillo): 45A. DI (T=100°C): 15A. IDss (mín.): 1uA. Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Marcado en la caja: FDD5614P. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.076 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. C(pulg): 759pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Identificación (diablillo): 45A. DI (T=100°C): 15A. IDss (mín.): 1uA. Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Marcado en la caja: FDD5614P. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.076 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS
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