Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 18A, 18A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRL640A

Transistor de canal N, 18A, 18A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRL640A
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Transistor de canal N, 18A, 18A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRL640A. Transistor de canal N, 18A, 18A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Producto original del fabricante On Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.

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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 310 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V
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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 310 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V
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