Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N
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1 - 4 1.29€ 1.56€
5 - 9 1.22€ 1.48€
10 - 24 1.19€ 1.44€
25 - 49 1.16€ 1.40€
50 - 99 1.13€ 1.37€
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Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N. Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 167 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 03:25.

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Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T...
IRF640
Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V
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