Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N
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10 - 24 1.16€ 1.40€
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Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N. Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 167 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.

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