Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640

Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640
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1 - 4 1.43€ 1.73€
5 - 9 1.36€ 1.65€
10 - 24 1.29€ 1.56€
25 - 49 1.22€ 1.48€
50 - 60 1.19€ 1.44€
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Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640. Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.

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