Transistor de canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843

Transistor de canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843. Transistor de canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 161A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4380pF. Costo): 940pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2000. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: LR7843. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 34 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Función: RDS muy bajo (encendido) a 4,5 V VGS, impedancia de puerta ultrabaja. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 10:25.