IXYS IXFH32N50 MOSFET de Potencia HiPerFET de Canal N, 500V Drenador-Fuente, 32A Corriente de Drenad

Descripción técnica del producto (IXFH32N50):

Este MOSFET de potencia HiPerFET de canal N IXYS IXFH32N50 presenta una tensión máxima drenador-fuente (Vds) de 500V y una corriente de drenador continua (ID) de 32A a 25°C. Su resistencia en estado activo (Rds On) es de 0,15 Ohmios. El componente está alojado en un encapsulado TO-247AD, adecuado para montaje pasante en PCB. Opera dentro de un rango de temperatura de -55°C a +150°C y es compatible con RoHS. Las especificaciones clave incluyen una disipación de potencia (Pd) de 360W, una tensión puerta-fuente (Vgs) de 20V y un tiempo de retardo de encendido (Td(on)) de 35 ns. Ofrece protección drenador-fuente.