Kingbright L-93DP3BT Fototransistor NPN de 3mm 30V 100mW

Descripción técnica del producto (L-93DP3BT):

Fototransistor NPN de 3mm con Vceo de 30V y disipación de potencia de 100mW. Ángulo de visión: 30°. Carcasa transparente. Longitud de onda dominante: 940 nm. Corriente de colector (Ic): 35 mA. Separación de pines: 2.54 mm. Conforme a RoHS. Montaje: Agujero pasante (THT). Color: Infrarrojo. Tiempo de caída (tf typ): 15 us. Encapsulado: LED de 3mm. Tiempo de subida (tr typ): 15 us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -40 a +85 °C. VCE(sat) máx: 0.8 V. Vceo: 30 V. Veco: 5 V.