MBR10100CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V

MBR10100CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.95€
5-24
0.80€
25-49
0.69€
50-99
0.63€
100+
0.53€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 8

MBR10100CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:43

Documentación técnica (PDF)
MBR10100CT
19 parámetros
Corriente directa (AV)
10A
IFSM
60.4k Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AC-3P
VRRM
100V
Cantidad por caja
2
Estructura dieléctrica
cátodo común
Función
Diodo rectificador de barrera Schottky dual
Material semiconductor
Sb
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Resonancia magnética (máx.)
0.008mA
Resonancia magnética (mín.)
8uA
RoHS
Spec info
Ifsm 120A (t=8.3ms)
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
0.78V
Tensión umbral Vf (máx)
0.88V
Producto original del fabricante
Taiwan Semiconductor

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