MBRD835LG, 8A, 75A, D-PAK ( TO-252 ), Dpak-3, 35V. Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 75A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): Dpak-3. VRRM: 35V. Función: Energía de alto voltaje Schottky. Marcado en la caja: 853LG. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Resonancia magnética (máx.): 35mA. Resonancia magnética (mín.): 1.4mA. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.41V. Tensión umbral Vf (máx): 0.51V. ¿Diodo Schottky?: sí. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:43