Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF11N60TH

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF11N60TH
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Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF11N60TH. Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo Trr (Mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 49W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 76 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Magnachip Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 21/06/2025, 17:25.

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Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T...
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Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo Trr (Mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 49W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 76 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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