Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - MJ15015
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.58€ | 4.33€ |
| 5 - 6 | 3.40€ | 4.11€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.58€ | 4.33€ |
| 5 - 6 | 3.40€ | 4.11€ |
¡Entrega en 2-3 dÃas, con seguimiento postal!
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - MJ15015. Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Resistencia BE: 70. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Spec info: Motorola. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.
Productos equivalentes :
MJ15015-ONS
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-2...
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Resistencia BE: 70. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mÃnima de hFE: 10. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sÃ. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(mÃn.): 4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) MJ15016. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Resistencia BE: 70. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mÃnima de hFE: 10. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sÃ. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(mÃn.): 4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) MJ15016. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
También recomendamos :
MJ15016-ONS
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-2...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2SA1370
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MOR1WS-100K
Resistencia: 100k Ohms. Potencia: 1W. Tipo de resistencia: Capa metálica. Estabilidad de temperatur...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1-5KE120A
Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento m...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1N5364B
Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 33V. DisipaciÃ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BS107
Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1N5388B
Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (norma JEDEC): 5W. Tensión de ruptura Zener ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJ11015G
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Vivienda: ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
PP-1920
Material: FR2. Lámina de plástico: un solo lado, 3 almohadillas de soldadura, espesor de cobre 35u...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 dÃas, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.