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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 0.95€ 1.15€
5 - 9 0.90€ 1.09€
10 - 24 0.88€ 1.06€
25 - 49 0.86€ 1.04€
50 - 99 0.84€ 1.02€
100 - 249 0.75€ 0.91€
250 - 352 0.72€ 0.87€
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T. Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 12:25.

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MJE2955T-CDIL

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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda ...
MJE2955T-CDIL
Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: para amplificadores de audio de alta fidelidad y reguladores de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V
MJE2955T-CDIL
Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: para amplificadores de audio de alta fidelidad y reguladores de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V
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